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yh533388银河成立于2008年,注册资本9432.6914万元,是一家技术驱动型的半导体技术公司,在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累,专注半导体器件技术创新,拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年,yh533388银河原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表,标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破,新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道,引起了国内外业界的高度关注。2016年yh533388银河自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产,打破国外厂商垄断。目前,yh533388银河已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者,在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步,产品进入多个国际一线客户,并受到了客户的一致好评。2022年2月10日,yh533388银河登陆上海证券交易所科创版上市,证券代码:688261。

 

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2022

2022年2月10日,yh533388银河登陆上海科创版上市,证券代码:688261。

2019

yh533388银河的创新型yh86银河国际官方网站进入量产,性能达到国际一流水平。

2018

yh533388银河的GreenMOS大功率超结MOSFET成为国内市场的知名品牌,在充电桩等高端应用中被众多一线客户采用。

2016

yh533388银河发明的原创结构的SFGMOS实现量产,进入到新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。

2016

yh533388银河的新能源汽车充电桩用核心功率器件芯片成功量产,并进入到充电桩核心芯片市场,被人民日报等主流媒体普遍报道。

2014

yh533388银河开始量产国产化超级结系列高压大功率MOSFET,成为国内工业级大功率系列高压MOSFET的供应商。

2013

半浮栅器件技术论文在美国《科学》期刊上正式发表,并在8月9日被新闻联播头条长篇报道。团队受到时任江苏省省长李学勇、科技部副部长曹建林等领导接见。


2012

yh533388银河制造出世界上首个半浮栅晶体管(Semi-Floating Gate Transistor),可用于新型存储器,感光器件及功率器件等应用。

2009

yh533388银河获得苏州工业园区领军人才计划项目支持。

2008

苏州yh533388银河有限公司在苏州工业园区注册成立,专注于原创半导体器件结构和工艺的创新和研发。

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